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Si1046X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
2.5
T A = 25 °C, unless otherwise noted
0. 8
V GS = 5 V thr u 2 V
2.0
0.6
1.5
1.0
0.5
0.0
V GS = 1.5 V
V GS = 1.0 V
0.4
0.2
0.0
T J = 25 °C
T J = 125 °C
T J = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
1.0
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
100
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0. 8
0.6
0.4
V GS = 1. 8 V
V GS = 2.5 V
8 0
60
40
C oss
C iss
0.2
V GS = 4.5 V
20
0.0
0
C rss
0.0
0.6
1.2
1. 8
2.4
3.0
0
4
8
12
16
20
5
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 0.606 A
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
4
3
V DS = 10 V
1.6
1.4
V GS = 4.5 V , I D = 0.606 A
V GS = 2.5 V , I D = 0.505 A
2
1
0
V DS = 16 V
1.2
1.0
0. 8
0.6
V GS = 1. 8 V , I D = 0.15 A
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 74594
S09-1225-Rev. C, 29-Jun-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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